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Low-power SRAM design using half-swing pulse-mode techniques
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Dual-Vth 0.25 mu m CMOS cells and macros for 1 V low-power LSIs
Veröffentlicht in Fujitsu scientific & technical journal
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4757474 Semiconductor memory device having redundancy circuit portion
Veröffentlicht in Microelectronics and reliability
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