-
1
-
2
The fabrication of dense and uniform InAs nanowire arrays
Veröffentlicht in Nanotechnology
VolltextArtikel -
3
Quantum-confinement effects in InAs–InP core–shell nanowires
Veröffentlicht in Journal of physics. Condensed matter
VolltextArtikel -
4
Surface diffusion effects on growth of nanowires by chemical beam epitaxy
Veröffentlicht in Journal of applied physics
VolltextArtikel -
5
-
6
-
7
Drive current and threshold voltage control in vertical InAs wrap-gate transistors
Veröffentlicht in Electronics letters
VolltextArtikel -
8
-
9
Vertical high-mobility wrap-gated InAs nanowire transistor
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
10
Detection of charge states in nanowire quantum dots using a quantum point contact
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
11
-
12
Drive current and threshold voltage control in vertical InAs wrap-gate transistors
Veröffentlicht in Electronics letters
VolltextArtikel -
13
Development of a Vertical Wrap-Gated InAs FET
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
14
-
15
Heterostructure Barriers in Wrap Gated Nanowire FETs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
16
Comparative friction measurements of InAs nanowires on three substrates
Veröffentlicht in Journal of applied physics
VolltextArtikel -
17
-
18
An irradiation facility at the 225 cm cyclotron in Stockholm
Veröffentlicht in Nuclear instruments & methods
VolltextArtikel -
19
Imaging a 1-electron InAs quantum dot in an InAs/InP nanowire
Veröffentlicht in arXiv.org
VolltextArtikel -
20