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Origin of compressive residual stress in polycrystalline thin films
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Site-selection of Si1−xGex quantum dots on patterned Si(001) substrates
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Misfit dislocation formation in the AlGaN∕GaN heterointerface
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Strain relaxation in AlGaN multilayer structures by inclined dislocations
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Stress evolution during metalorganic chemical vapor deposition of GaN
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Origins of growth stresses in amorphous semiconductor thin films
Veröffentlicht in Physical review letters
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Relaxation of compressively-strained AlGaN by inclined threading dislocations
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Anion adsorption induced reversal of coherency strain
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Brittle-ductile relaxation kinetics of strained AlGaN/GaN heterostructures
Veröffentlicht in Applied physics letters
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