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On the role of oxygen and hydrogen in diamond-forming discharges
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Mechanisms of silicon etching in fluorine- and chlorine-containing plasmas
Veröffentlicht in Pure and applied chemistry
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Diamond crystal growth by plasma chemical vapor deposition
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Anisotropic etching of SiO2 in low-frequency CF4/O2 and NF3/Ar plasmas
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Plasma etching of Si and SiO2—The effect of oxygen additions to CF4 plasmas
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Plasmaless dry etching of silicon with fluorine-containing compounds
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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The plasma oxidation of CF4 in a tubular-alumina fast-flow reactor
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Hydrogen passivation of point defects in silicon
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Computer simulation of a CF4 plasma etching silicon
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Operation of a helical resonator plasma source
Veröffentlicht in Plasma sources science & technology
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Comparison of XeF2 and F-atom reactions with Si and SiO2
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Crystallographic etching of GaAs with bromine and chlorine plasmas
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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The etching of doped polycrystalline silicon by molecular chlorine
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Copper-catalyzed etching of silicon by F2: kinetics and feature morphology
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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