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Quantum engineering of transistors based on 2D materials heterostructures
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Insulators for 2D nanoelectronics: the gap to bridge
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Performance of arsenene and antimonene double-gate MOSFETs from first principles
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Electronics based on two-dimensional materials
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Lateral Graphene–hBCN Heterostructures as a Platform for Fully Two-Dimensional Transistors
Veröffentlicht in ACS nano
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Velocity saturation in few-layer MoS2 transistor
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Paper-based WS2 photodetectors fabricated by all-dry techniques
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Atomistic Boron-Doped Graphene Field-Effect Transistors: A Route toward Unipolar Characteristics
Veröffentlicht in ACS nano
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Heterojunction Hybrid Devices from Vapor Phase Grown MoS2
Veröffentlicht in Scientific reports
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Bilayer Graphene Transistors for Analog Electronics
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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