Polarization fields of III-nitrides grown in different crystal orientations von Feneberg, M, Thonke, K

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Selective area growth of cubic gallium nitride on silicon (001) and 3C-silicon carbide (001) von Meier, F., Protte, M., Baron, E., Feneberg, M., Goldhahn, R., Reuter, D., As, D. J.

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Growth and Characterization of AlN and AlGaN Epitaxial Films on AlN Single Crystal Substrates von Dalmau, R., Moody, B., Schlesser, R., Mita, S., Xie, J., Feneberg, M., Neuschl, B., Thonke, K., Collazo, R., Rice, A., Tweedie, J., Sitar, Z.

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Stimulated emission via electron-hole plasma recombination in fully strained single InGaN/GaN heterostructures von Minj, A., Romero, M. F., Wang, Y., Tuna, Ö., Feneberg, M., Goldhahn, R., Schmerber, G., Ruterana, P., Giesen, C., Heuken, M.

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Inversion of absorption anisotropy and bowing of crystal field splitting in wurtzite MgZnO von Neumann, M. D., Esser, N., Chauveau, J.-M., Goldhahn, R., Feneberg, M.

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Structural and optical properties of MBE-grown asymmetric cubic GaN/AlxGa1-xN double quantum wells von Wecker, T., Hörich, F., Feneberg, M., Goldhahn, R., Reuter, D., As, D. J.

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Composition dependent valence band order in c-oriented wurtzite AlGaN layers von Neuschl, B., Helbing, J., Knab, M., Lauer, H., Madel, M., Thonke, K., Meisch, T., Forghani, K., Scholz, F., Feneberg, M.

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Direct determination of the silicon donor ionization energy in homoepitaxial AlN from photoluminescence two-electron transitions von Neuschl, B., Thonke, K., Feneberg, M., Goldhahn, R., Wunderer, T., Yang, Z., Johnson, N. M., Xie, J., Mita, S., Rice, A., Collazo, R., Sitar, Z.

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Optical properties of MgZnO alloys: Excitons and exciton-phonon complexes von Neumann, M. D., Cobet, C., Esser, N., Laumer, B., Wassner, T. A., Eickhoff, M., Feneberg, M., Goldhahn, R.

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Three-dimensional GaN for semipolar light emitters von Wunderer, T., Feneberg, M., Lipski, F., Wang, J., Leute, R. A. R., Schwaiger, S., Thonke, K., Chuvilin, A., Kaiser, U., Metzner, S., Bertram, F., Christen, J., Beirne, G. J., Jetter, M., Michler, P., Schade, L., Vierheilig, C., Schwarz, U. T., Dräger, A. D., Hangleiter, A., Scholz, F.

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Electrical transport properties of Ge-doped GaN nanowires von Schäfer, M, Günther, M, Länger, C, Müßener, J, Feneberg, M, Uredat, P, Elm, M T, Hille, P, Schörmann, J, Teubert, J, Henning, T, Klar, P J, Eickhoff, M

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Zeeman spectroscopy of the internal transition 4T1 to 6A1 of Fe3+ ions in wurtzite GaN von Neuschl, B., Gödecke, M. L., Thonke, K., Lipski, F., Klein, M., Scholz, F., Feneberg, M.

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Influence of strain on the band gap energy of wurtzite InN von Schley, P., Goldhahn, R., Gobsch, G., Feneberg, M., Thonke, K., Wang, X., Yoshikawa, A.

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Photoluminescence of highly excited AlN: Biexcitons and exciton-exciton scattering von Leute, R. A. R., Feneberg, M., Sauer, R., Thonke, K., Thapa, S. B., Scholz, F., Taniyasu, Y., Kasu, M.

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Effect of carrier gas in hydride vapor phase epitaxy on optical and structural properties of GaN von Gridneva, E., Richter, E., Feneberg, M., Weyers, M., Goldhahn, R., Tränkle, G.

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Optimization of nucleation and buffer layer growth for improved GaN quality von Hertkorn, J., Brückner, P., Thapa, S.B., Wunderer, T., Scholz, F., Feneberg, M., Thonke, K., Sauer, R., Beer, M., Zweck, J.

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Electroreflectance characterization of AlInGaN/GaN high-electron mobility heterostructures von Bokov, P Yu, Brazzini, T, Romero, M F, Calle, F, Feneberg, M, Goldhahn, R

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Reliable polarization control of VCSELs through monolithically integrated surface gratings: a comparative theoretical and experimental study von Debernardi, P., Ostermann, J.M., Feneberg, M., Jalics, C., Michalzik, R.

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Quaternary AlxInyGa1―x―yN layers deposited by pulsed metal-organic vapor-phase epitaxy for high efficiency light emission von JETTER, M, WÄCHTER, C, MEYER, A, FENEBERG, M, THONKE, K, MICHLER, P

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Piezoelectric fields in GaInN∕GaN quantum wells on different crystal facets von Feneberg, M., Lipski, F., Sauer, R., Thonke, K., Wunderer, T., Neubert, B., Brückner, P., Scholz, F.

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