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Mechanism of silicon-nanowire-diode orientation in DC electric fields
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Trap passivation of 4H-SiC/SiO2 interfaces by nitrogen annealing
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Using Family Group Decision Making to Assist Informal Kinship Families
Veröffentlicht in Child welfare
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High Channel Mobility 4H-SiC MOSFETs by Antimony Counter-Doping
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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