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Fabrication and characterization of Schottky barrier diodes on rutile TiO2
Veröffentlicht in Materials research express
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Influence of heat treatments in H2 and Ar on the E1 center in β-Ga2O3
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Electrically-active defects in reduced and hydrogenated rutile TiO2
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
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Influence of heat treatments in H2 and Ar on the E 1 center in β -Ga2O3
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Influence of heat treatments in H 2 and Ar on the E1 center in β-Ga2O3
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Influence of heat treatments in H2 and Ar on the E 1 center in β -Ga 2 O 3
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Multistability of isolated and hydrogenated Ga-O divacancies in beta-Ga2O3
Veröffentlicht in Physical review materials
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Fabrication and characterization of Schottky barrier diodes on rutile TiO 2
Veröffentlicht in Materials research express
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Electrically-active defects in reduced and hydrogenated rutile TiO2
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
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Influence of Heat Treatments in H2 and Ar on the E1 center in β-Gs2O3
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Fabrication and characterization of Schottky barrier diodes on rutile TiO2
Veröffentlicht in Materials research express
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