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    n-MOS transistor impact ionization boosted by cumulative stress degradation in a 250 nm SiGe BiCMOS technology

    n-MOS transistor impact ionization boosted by cumulative stress degradation in a 250 nm SiGe BiCMOS technology von Gutierrez-D, Edmundo A., C, Alan Y. Otero, F, Xiomara Ribero


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