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Effect of Si doping on optical and thermal properties of MOVPE GaN thin layers
Veröffentlicht in Optik (Stuttgart)
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Optical and theoretical investigations of V2+ ion in GaN
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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Optical and theoretical investigations of V 2+ ion in GaN
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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In situ etching of GaAs using AsCl 3 in MOVPE. I
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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In situ etching of GaAs using AsCl3 in MOVPE. I
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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MATERIAUX 2010
Veröffentlicht in IOP conference series. Materials Science and Engineering
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Controlled nano-roughening of the GaN surface by post-growth thermal annealing
Veröffentlicht in Applied surface science
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Bio-nanocomposites for food packaging applications
Veröffentlicht in Progress in polymer science
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