Suchergebnisse - Eisen, F.H.

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Reproducing the backscattering spectrum of an amorphous target from a single crystal von Eisen, F.H., Nicolet, M.-A.

Veröffentlicht in Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms

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Preferred Position of the Detector for MeV Backscattering Spectrometry von Eisen, F.H., Nicolet, M.-A.

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Influence of implantation temperature and surface protection on tellurium implantation in GaAs von Harris, J.S., Eisen, F.H., Welch, B., Haskell, J.D., Pashley, R.D., Mayer, J.W.

Veröffentlicht in Applied physics letters

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GaAs/(Ga,Al)As heterojunction bipolar transistors with buried oxygen-implanted isolation layers von Asbeck, P.M., Miller, D.L., Anderson, R.J., Eisen, F.H.

Veröffentlicht in IEEE electron device letters

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5

III-V compound review von Eisen, F. H.

Veröffentlicht in Radiation effects

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Stage-II Recovery in Electron-Irradiated InSb von Eisen, F. H.

Veröffentlicht in Physical review

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7

New Aspects of Atom Location: Flux Peaking von Eisen, F. H.

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Buchkapitel

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8

TA-A3 laser and electron-beam annealing of implanted semi-insulating GaAs von Tandon, J.L., Eisen, F.H.

Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices

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9

On conversion from an energy scale to a depth scale in channelling experiments von Bøttiger, J., Eisen, F.H.

Veröffentlicht in Thin solid films

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10

Capless annealing of ion-implanted GaAs von Immorlica, A. A., Eisen, F. H.

Veröffentlicht in Applied physics letters

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Silicon implantation in GaAs von Tandon, J L, Nicolet, M-A, Eisen, F H

Veröffentlicht in Applied physics letters

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12

VA-2 GaAs/(Ga,Al)As heterojunction bipolar transistors with buried oxygen-implanted isolation layers von Asbeck, P.M., Miller, D.L., Anderson, R.J., Eisen, F.H.

Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices

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Low-noise GaAs FET's prepared by ion implantation von Higgins, J.A., Kuvas, R.L., Eisen, F.H., Ch'en, D.R.

Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices

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14

IVB-7 capless annealing of ion implanted GaAs von Immorlica, A.A., Eisen, F.H.

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Interpretation of channeling effect measurements of disorder in ion-implanted silicon von Eisen, F. H., Bo/ttiger, J.

Veröffentlicht in Applied physics letters

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IIA-1 (GaAl)As/GaAs heterojunction dipolar transistors with graded composition in the base von Miller, D.L., Asbeck, P.M., Anderson, R.J., Eisen, F.H.

Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices

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17

Selenium implantation in GaAs von Gamo, K., Inada, T., Krekeler, S., Mayer, J.W., Eisen, F.H., Welch, B.M.

Veröffentlicht in Solid-state electronics

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18

Recovery of Electron Radiation Damage in n -Type InSb von Eisen, F. H.

Veröffentlicht in Physical review

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Channeling of 375 keV protons through silicon von Eisen, F.H.

Veröffentlicht in Physics letters

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20

Tellurium implantation in GaAs von Eisen, F.H., Welch, B.M., Müller, H., Gamo, K., Inada, T., Mayer, J.W.

Veröffentlicht in Solid-state electronics

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Reproducing the backscattering spectrum of an amorphous target from a single crystal von Eisen, F.H., Nicolet, M.-A.

Preferred Position of the Detector for MeV Backscattering Spectrometry von Eisen, F.H., Nicolet, M.-A.

Influence of implantation temperature and surface protection on tellurium implantation in GaAs von Harris, J.S., Eisen, F.H., Welch, B., Haskell, J.D., Pashley, R.D., Mayer, J.W.

GaAs/(Ga,Al)As heterojunction bipolar transistors with buried oxygen-implanted isolation layers von Asbeck, P.M., Miller, D.L., Anderson, R.J., Eisen, F.H.

III-V compound review von Eisen, F. H.

Stage-II Recovery in Electron-Irradiated InSb von Eisen, F. H.

New Aspects of Atom Location: Flux Peaking von Eisen, F. H.

TA-A3 laser and electron-beam annealing of implanted semi-insulating GaAs von Tandon, J.L., Eisen, F.H.

On conversion from an energy scale to a depth scale in channelling experiments von Bøttiger, J., Eisen, F.H.

Capless annealing of ion-implanted GaAs von Immorlica, A. A., Eisen, F. H.

Silicon implantation in GaAs von Tandon, J L, Nicolet, M-A, Eisen, F H

VA-2 GaAs/(Ga,Al)As heterojunction bipolar transistors with buried oxygen-implanted isolation layers von Asbeck, P.M., Miller, D.L., Anderson, R.J., Eisen, F.H.

Low-noise GaAs FET's prepared by ion implantation von Higgins, J.A., Kuvas, R.L., Eisen, F.H., Ch'en, D.R.

IVB-7 capless annealing of ion implanted GaAs von Immorlica, A.A., Eisen, F.H.

Interpretation of channeling effect measurements of disorder in ion-implanted silicon von Eisen, F. H., Bo/ttiger, J.

IIA-1 (GaAl)As/GaAs heterojunction dipolar transistors with graded composition in the base von Miller, D.L., Asbeck, P.M., Anderson, R.J., Eisen, F.H.

Selenium implantation in GaAs von Gamo, K., Inada, T., Krekeler, S., Mayer, J.W., Eisen, F.H., Welch, B.M.

Recovery of Electron Radiation Damage in n -Type InSb von Eisen, F. H.

Channeling of 375 keV protons through silicon von Eisen, F.H.

Tellurium implantation in GaAs von Eisen, F.H., Welch, B.M., Müller, H., Gamo, K., Inada, T., Mayer, J.W.

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