Ultrathin TiN Membranes as a Technology Platform for CMOS-Integrated MEMS and BioMEMS Devices von Birkholz, M., Ehwald, K.-E., Kulse, P., Drews, J., Fröhlich, M., Haak, U., Kaynak, M., Matthus, E., Schulz, K., Wolansky, D.

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Sensing glucose concentrations at GHz frequencies with a fully embedded Biomicro-electromechanical system (BioMEMS) von Birkholz, M, Ehwald, K-E, Basmer, T, Kulse, P, Reich, C, Drews, J, Genschow, D, Haak, U, Marschmeyer, S, Matthus, E, Schulz, K, Wolansky, D, Winkler, W, Guschauski, T, Ehwald, R

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Corrosion-resistant metal layers from a CMOS process for bioelectronic applications von Birkholz, M., Ehwald, K.-E., Wolansky, D., Costina, I., Baristiran-Kaynak, C., Fröhlich, M., Beyer, H., Kapp, A., Lisdat, F.

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Fabrication of MEMS actuators from the BEOL of a 0.25μm BiCMOS technology platform von Kulse, P., Birkholz, M., Ehwald, K.-E., Bauer, J., Drews, J., Haak, U., Höppner, W., Katzer, J., Schulz, K., Wolansky, D.

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Can Si(113) wafers be an alternative to Si(001)? von Müssig, H.-J., Dabrowski, J., Ehwald, K.-E., Gaworzewski, P., Huber, A., Lambert, U.

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Circuit applications of high-performance SiGe:C HBTs integrated in BiCMOS technology von Winkler, W, Borngräber, J, Heinemann, B, Rücker, H, Barth, R, Bauer, J, Bolze, D, Drews, J, Ehwald, K.-E, Grabolla, T, Haak, U, Höppner, W, Knoll, D, Krüger, D, Kuck, B, Kurps, R, Marschmeyer, M, Richter, H, Schley, P, Schmidt, D, Scholz, R, Tillack, B, Wolansky, D, Wulf, H.-E, Yamamoto, Y, Zaumseil, P

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Comparison of SiGe and SiGe:C heterojunction bipolar transistors von KNOLL, D, HEINEMANN, B, EHWALD, K.-E, TILLACK, B, SCHLEY, P, OSTEN, H. J

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Biostability of an implantable glucose sensor chip von Fröhlich, M, Birkholz, M, Ehwald, K E, Kulse, P, Fursenko, O, Katzer, J

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BiCMOS integration of SiGe:C heterojunction bipolar transistors von Knoll, D., Heinemann, B., Ehwald, K.E., Rucker, H., Tillack, B., Winkler, W., Schley, P.

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Novel collector design for high-speed SiGe:C HBTs von Heinemann, B., Rucker, H., Barth, R., Bauer, J., Bolze, D., Bugiel, E., Drews, J., Ehwald, K.-E., Grabolla, T., Haak, U., Hoppner, W., Knoll, D., Kruger, D., Kuck, B., Kurps, R., Marschmeyer, M., Richter, H.H., Schley, P., Schmidt, D., Scholz, R., Tillack, B., Winkler, W., Wolnsky, D., Wulf, H.-E., Yamamoto, Y., Zaumseil, P.

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Influence of the oxygen content in SiGe on the parameters of Si/SiGe heterojunction bipolar transistors von KNOLL, D, HEINEMANN, B, WOLANSKY, D, BOLZE, D, EHWALD, K. E, FISCHER, G, KRÜGER, D, MORGENSTERN, T, NAUMANN, E, SCHLEY, P, TILLACK, B

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Luminescence of Silicon Implanted with Phosphorus von Ehwald, K.-E., Kittler, Martin, Seifert, Winfried, Arguirov, Tzanimir, Bolze, D., Formanek, Peter, Reif, Jürgen

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A BCCD-based dosimeter for mixed radiation fields von Pierschel, M., Ehwald, K.-E., Heinemann, B., Januschewski, F., Schmitz, T., Schröder, O.

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Base currents of Si/SiGe/Si HBT in dependence on the processing conditions von Knoll, D., Fischer, G., Ehwald, K.E., Heinemann, B., Schley, P., Zeindl, H., Tillack, B., Morgenstern, T., Wolff, A.

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Gettering and defect engineering for a low noise CCD compatible 1.5 μm BICMOS technology von Ritter, G., Ehwald, K.-E., Knoll, D.

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A flexible, low-cost, high performance SiGe:C BiCMOS process with a one-mask HBT module von Knoll, D., Ehwald, K.E., Heinemann, B., Fox, A., Blum, K., Rucker, H., Furnhammer, F., Senapati, B., Barth, R., Haak, U., Hoppner, W., Drews, J., Kurps, R., Marschmeyer, S., Richter, H.H., Grabolla, T., Kuck, B., Fursenko, O., Schley, P., Scholz, R., Tillack, B., Yamamoto, Y., Kopke, K., Wulf, H.E., Wolansky, D., Winkler, W.

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High Voltage Complementary Epi Free LDMOS Module with 70 V PLDMOS for a 0.25 μm SiGe:C BiCMOS Platform von Sorge, R., Fischer, A., Ehwald, K.-E., Barth, R., Ostrovsky, P., Pliquett, R., Schulz, K., Bolze, D., Schley, P., Schmidt, D., Wulf, H.-E., Grutzediek, H., Scheerer, J., Hartmetz, P.

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The impact of channel engineering on the performance and reliability of LDMOS transistors von Mohapatra, N.R., Ehwald, K.E., Barth, R., Rucker, H., Bolze, D., Schley, P., Schmidt, D., Wulf, H.E.

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A low-cost SiGe:C BiCMOS technology with embedded flash memory and complementary LDMOS module von Knoll, D., Fox, A., Ehwald, K.E., Heinemann, B., Barth, R., Fischer, A., Rucker, H., Schley, P., Scholz, R., Korndorfer, F., Senapati, B., Stikanov, V.E., Tillack, B., Winkler, W., Wolf, Ch, Zaumseil, P.

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Complementary RF LDMOS module for 12 V DC/DC converter and 6 GHz power applications von Sorge, R, Fischer, A, Mai, A, Schley, P, Schmidt, J, Wipf, Ch, Mausolf, Th, Pliquett, R, Barth, R, Ehwald, K E

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