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Doping a pulled semiconductor crystal with impurities having different diffusion coefficients
von
EZAKI REONA
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Semiconductor device
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Junction type semiconductor device
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IWAMA KAZUO
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Diode type semiconductor device
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訂正:半導体と量子力学: 一物理学者が歩んだ50年の道
von
江崎, 玲於奈
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半導体と量子力学: 一物理学者が歩んだ50年の道
von
江崎, 玲於奈
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生産研究
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Halbleiteranordnung, insbesondere Transistor
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EZAKI REONA
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Verfahren zum Herstellen von p-n-Schichten in Ge-Einkristallen durch Dotieren mit Bor
von
MISAWA AKIRA
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EZAKI REONA
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Halbleiterdiode mit pn-UEbergang in einem Halbleiterkoerper aus Germanium, Silizium od. dgl. und Verfahren zu ihrer Herstellung
von
KUROSE YURIKO
,
EZAKI REONA
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After-Treatment Of Single Crystals Or A Homogeneouspolycrystalline Material With Defined Structure
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Chemistry
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Crystal Growth
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General Tagging Of Cross-Sectional Technologies Spanning Over Several Sections Of The Ipc
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General Tagging Of New Technological Developments
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Production Of A Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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Refining By Zone-Melting Of Material
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Technical Subjects Covered By Former Uspc
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Technical Subjects Covered By Former Uspc Cross-Reference Art Collections [Xracs] And Digests
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Technical Subjects Covered By Former Uspc Cross-Reference Artcollections [Xracs] And Digests
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Unidirectional Solidification Of Eutectic Material Orunidirectional Demixing Of Eutectoid Material
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Esp@Cenet
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Ezb Electronic Journals Library
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