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Time-Dependent Failure of GaN-on-Si Power HEMTs With p-GaN Gate
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
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Negative Bias-Induced Threshold Voltage Instability in GaN-on-Si Power HEMTs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
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Evidence of Time-Dependent Vertical Breakdown in GaN-on-Si HEMTs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
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