1.54-μm Luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon von ENNEN, H, SCHNEIDER, J, POMRENKE, G, AXMANN, A

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1.54-μm electroluminescence of erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy von ENEN, H, POMRENKE, G, AXMANN, A, EISELE, K, HAYDL, W, SCHNEIDER, J

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Identification of AsGa antisites in plastically deformed GaAs von Weber, E. R., Ennen, H., Kaufmann, U., Windscheif, J., Schneider, J., Wosinski, T.

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Photoluminescence excitation measurements on GaAs:Er grown by molecular-beam epitaxy von ENNEN, H, WAGNER, J, MÜLLER, H. D, SMITH, R. S

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Photoluminescence optimization and characteristics of the rare-earth element erbium implanted in GaAs, InP, and GaP von POMRENKE, G. S, ENNEN, H, HAYDL, W

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Erbium doping of molecular beam epitaxial GaAs von SMITH, R. S, MÜLLER, H. D, ENNEN, H, WENNEKERS, P, MAIER, M

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Luminescence of the rare-earth ion ytterbium in InP, GaP, and GaAs von ENNEN, H, POMRENKE, G, AXMANN, A

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Strained-layer InGaAs-GaAs-AlGaAs graded-index separate confinement heterostructure single quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy von OFFSEY, S. D, SCHAFF, W. J, TASKER, P. J, ENNEN, H, EASTMAN, L. F

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Rare earth ions in LPE III-V semiconductors von Körber, W., Weber, J., Hangleiter, A., Benz, K.W., Ennen, H., Moller, H.D.

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Rare earth activated luminescence in InP, GaP and GaAs von Ennen, H., Kaufmann, U., Pomrenke, G., Schneider, J., Windscheif, J., Axmann, A.

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Characterization of CdTe crystals by chemical etching and cathodoluminescence measurements von Brandt, G., Ennen, H., Moritz, R., Rothemund, W.

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Donor-acceptor pairs in GaP and GaAs involving the deep nickel acceptor von Ennen, H, Kaufmann, U, Schneider, J

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Ytterbium-doped InP light-emitting diode at 1.0 μm von Haydl, W. H., Müller, H. D., Ennen, H., Körber, W., Benz, K. W.

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Photoluminescence of neodymium-implanted gallium phosphide and gallium arsenide von MÜLLER, H. D, ENNEN, H, SCHNEIDER, J, AXMANN, A

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Neodymium complexes in GaP separated by photoluminescence excitation spectroscopy von WAGNER, J, ENNEN, H, MÜLLER, H. D

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Intra d-shell excitations of cobalt and nickel acceptors in gallium arsenide von Ennen, H., Kaufmann, U., Schneider, J.

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Structural, electrical and optical characterization of singlecrystal ErAs layers grown on GaAs by MBE von Ralston, J. D., Ennen, H., Wennekers, P., Hiesinger, P., Herres, N., Schneider, J., Müller, H. D., Rothemund, W., Fuchs, F., Schmälzlin, J., Thonke, K.

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Nickel and iron—Multivalence impurities in GaP von Ennen, H., Kaufmann, U.

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Polarized anisotropic photoluminescence of laser-related transitions in YAlO3:Nd and YAlO3:Er and line broadening by resonant lattice phonons von Dischler, B., Ennen, H.

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Polarized anisotropic photoluminescence of laser-related transitions in YAIO3:Nd and YAIO3:Er line broadening by resonant lattice phonons von DISCHLER, B, ENNEN, H

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