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Growth of monolithic full-color GaN-based LED with intermediate carrier blocking layers
Veröffentlicht in AIP advances
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Optimum quantum well width for III-nitride nonpolar and semipolar laser diodes
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Inhomogeneous injection in polar and nonpolar III-nitride light-emitters
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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