Multiphonon-relaxation processes in self-organized InAs/GaAs quantum dots von Heitz, R., Grundmann, M., Ledentsov, N. N., Eckey, L., Veit, M., Bimberg, D., Ustinov, V. M., Egorov, A. Yu, Zhukov, A. E., Kop’ev, P. S., Alferov, Zh. I.

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Photoluminescence and Raman study of compensation effects in Mg-doped GaN epilayers von Eckey, L., von Gfug, U., Holst, J., Hoffmann, A., Kaschner, A., Siegle, H., Thomsen, C., Schineller, B., Heime, K., Heuken, M., Schön, O., Beccard, R.

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Quantitative determination of hexagonal minority phase in cubic GaN using Raman spectroscopy von Siegle, H., Eckey, L., Hoffmann, A., Thomsen, C., Meyer, B.K., Schikora, D., Hankeln, M., Lischka, K.

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Vertical strain and doping gradients in thick GaN layers von Siegle, H., Hoffmann, A., Eckey, L., Thomsen, C., Christen, J., Bertram, F., Schmidt, D., Rudloff, D., Hiramatsu, K.

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On the nature of the 3.41 eV luminescence in hexagonal GaN von Fischer, S, Steude, G, Hofmann, D.M, Kurth, F, Anders, F, Topf, M, Meyer, B.K, Bertram, F, Schmidt, M, Christen, J, Eckey, L, Holst, J, Hoffmann, A, Mensching, B, Rauschenbach, B

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Mechanisms of optical gain in cubic gallium nitrite von Holst, J., Eckey, L., Hoffmann, A., Broser, I., Schöttker, B., As, D. J., Schikora, D., Lischka, K.

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InAs/GaAs quantum dots radiative recombination from zero-dimensional states von Grundmann, M., Ledentsov, N. N., Heitz, R., Eckey, L., Christen, J., Böhrer, J., Bimberg, D., Ruvimov, S. S., Werner, P., Richter, U., Heydenreich, J., Ustinov, V. M., Egorov, A. Yu, Zhukov, A. E., Kopev, P. S., Alferov, Zh. I.

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Compensation effects in Mg-doped GaN epilayers von Eckey, L, Von Gfug, U, Holst, J, Hoffmann, A, Schineller, B, Heime, K, Heuken, M, Schön, O, Beccard, R

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Dynamics of bound-exciton luminescences from epitaxial GaN von Eckey, L., Holst, J.-Ch, Maxim, P., Heitz, R., Hoffmann, A., Broser, I., Meyer, B. K., Wetzel, C., Mokhov, E. N., Baranov, P. G.

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Zeeman spectroscopy of the Fe3+ center in GaN von Heitz, R., Thurian, P., Loa, I., Eckey, L., Hoffmann, A., Broser, I., Pressel, K., Meyer, B. K., Mokhov, E. N.

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Free excitons in wurtzite GaN von Rodina, A. V., Dietrich, M., Göldner, A., Eckey, L., Hoffmann, A., Efros, Al. L., Rosen, M., Meyer, B. K.

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Excitonic Fine Structure and High Density Effects in GaN von Hoffmann, Andreas, Eckey, L.

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Local strain distribution of hexagonal GaN pyramids von Hoffmann, A, Siegle, H, Kaschner, A, Eckey, L, Thomsen, C, Christen, J, Bertram, F, Schmidt, M, Hiramatsu, K, Kitamura, S, Sawaki, N

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Interface inequivalence of the InP/InAlAs/InP staggered double heterostructure grown by metalorganic chemical vapor deposition von Böhrer, J., Krost, A., Heitz, R., Heinrichsdorff, F., Eckey, L., Bimberg, D., Cerva, H.

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Spatially resolved photoluminescence and Raman scattering experiments on the GaN/substrate interface von Siegle, H., Thurian, P., Eckey, L., Hoffmann, A., Thomsen, C., Meyer, B. K., Amano, H., Akasaki, I., Detchprohm, T., Hiramatsu, K.

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Exciton Energy Structure in Wurtzite GaN von Rodina, A.V., Dietrich, M., Göldner, A., Eckey, L., Efros, Al.L., Rosen, M., Hoffmann, A., Meyer, B.K.

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Dynamical study of the yellow luminescence band in GaN von Hoffmann, A., Eckey, L., Maxim, P., Holst, J.-Chr, Heitz, R., Hofmann, D.M., Kovalev, D., Stevde, G., Volm, D., Meyer, B.K., Detchprohm, T., Hiramatsu, K., Amano, H., Akasaki, I.

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Exciton fine structure in undoped GaN epitaxial films von Volm, D, Oettinger, K, Streibl, T, Kovalev, D, Ben-Chorin, M, Diener, J, Meyer, BK, Majewski, J, Eckey, L, Hoffmann, A, Amano, H, Akasaki, I, I, Hiramatsu, K, Detchprohm, T

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Photoluminescence and optical gain in highly excited GaN von Eckey, L., Holst, J., Hoffman, A., Broser, I., Amano, H., Akasaki, I., Detchprohm, T., Hiramatsu, K.

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Identification of the 1.19-eV luminescence in hexagonal GaN von Heitz, R, Thurian, P, Loa, I, I, Eckey, L, Hoffmann, A, Broser, I, I, Pressel, K, Meyer, BK, Mokhov, EN

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