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SEMICONDUCTOR COMPOUNDS
von
WOLFGANG TOUCHY
,
ECKART BUNGENSTAB
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Verfahren zum Herstellen epitaktischer Aufwachsschichten aus am Schmelzpunkt leicht zersetzlichen halbleitenden Verbindungen durch Schmelzepitaxie
von
TOUCHY,WOLFGANG,DR
,
BUNGENSTAB,ECKART
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Aufwachsschichten aus halbleitenden Verbindungen,hergestellt nach einem Verfahren der Schmelzepitaxie
von
TOUCHY,DR..WOLFGANG
,
BUNGENSTAB,.ECKART
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After-Treatment Of Single Crystals Or A Homogeneouspolycrystalline Material With Defined Structure
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Basic Electric Elements
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Crystal Growth
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Electric Solid State Devices Not Otherwise Provided For
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Electricity
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Metallurgy
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Production Of A Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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Refining By Zone-Melting Of Material
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Single Crystals Or Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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Single-Crystal-Growth
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Unidirectional Solidification Of Eutectic Material Orunidirectional Demixing Of Eutectoid Material
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Esp@Cenet
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