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Reduction of grain-boundary potential barrier height in polycrystalline silicon with hot H2O-vapor annealing probed using point-contact devices
Veröffentlicht in Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena
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Universal three-way few-electron switch using silicon single-electron transistors
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Single-electron effects in heavily doped polycrystalline silicon nanowires
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Nanoscale Coulomb blockade memory and logic devices
Veröffentlicht in Nanotechnology
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