A 4.69-W/mm output power density InAlN/GaN HEMT grown on sapphire substrate von Liu, Bo (波刘), Feng, Zhihong (志红冯), Zhang, Sen (森张), Dun, Shaobo (少博敦), Yin, Jiayun (甲运尹), Li, Jia (佳李), Wang, Jingjing (晶晶王), Zhang, Xiaowei (效帏张), Fang, Yulong (玉龙房), Cai, Shujun (树军蔡)

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AlN/GaN high electron mobility transistors on sapphire substrates for Ka band applications von 宋旭波 吕元杰 顾国栋 王元刚 谭鑫 周幸叶 敦少博 徐鹏 尹甲运 魏碧华 冯志红 蔡树军

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Unstrained InAlN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD von 刘波 尹甲运 吕元杰 敦少博 张雄文 冯志红 蔡树军

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W-band GaN MMIC PA with 257 mW output power at 86.5 GHz von 徐鹏 宋旭波 吕元杰 王元刚 敦少博 尹甲运 房玉龙 顾国栋 冯志红 蔡树军

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DC Characteristics of Lattice-Matched InAlN/AlN/GaN High Electron Mobility Transistors von 谢生 冯志红 刘波 敦少博 毛陆虹 张世林

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Extrinsic and intrinsic causes of the electrical degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors von 房玉龙 敦少博 刘波 尹甲运 蔡树军 冯志红

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