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W-band low-noise InAlAs/InGaAs lattice-matched HEMTs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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32-GHz cryogenically cooled HEMT low-noise amplifiers
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Millimeter-wave low-noise high electron mobility transistors
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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0.1-μm gate-length pseudomorphic HEMT's
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Ultra-low-noise cryogenic high-electron-mobility transistors
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Improved device performance by migration-enhanced epitaxy
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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W-band high efficiency InP-based power HEMT with 600 GHz fmax
Veröffentlicht in IEEE microwave and guided wave letters
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