Process integration of 20 nm electron beam lithography and nanopatterning for ultimate MOSFET device fabrication von Kretz, J., Dreeskornfeld, L.

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Comparative study of calixarene and HSQ resist systems for the fabrication of sub-20 nm MOSFET device demonstrators von Kretz, J., Dreeskornfeld, L., Ilicali, G., Lutz, T., Weber, W.

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Influence of crystal orientation and body doping on trigate transistor performance von Landgraf, E., Rösner, W., Städele, M., Dreeskornfeld, L., Hartwich, J., Hofmann, F., Kretz, J., Lutz, T., Luyken, R.J., Schulz, T., Specht, M., Risch, L.

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20 nm electron beam lithography and reactive ion etching for the fabrication of double gate FinFET devices von Kretz, J., Dreeskornfeld, L., Hartwich, J., Rösner, W.

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Realization and characterization of nano-scale FinFET devices von KRETZ, J, DREESKORNFELD, L, SCHRÖTER, R, LANDGRAF, E, HOFMANN, F, RÖSNER, W

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NVM based on FinFET device structures von Hofmann, F., Specht, M., Dorda, U., Kömmling, R., Dreeskornfeld, L., Kretz, J., Städele, M., Rösner, W., Risch, L.

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Realization and characterization of nano-scale FinFET devices von Kretz, J., Dreeskornfeld, L., Schröter, R., Landgraf, E., Hofmann, F., Rösner, W.

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Nanoscale FinFETs for low power applications von Rösner, W., Landgraf, E., Kretz, J., Dreeskornfeld, L., Schäfer, H., Städele, M., Schulz, T., Hofmann, F., Luyken, R.J., Specht, M., Hartwich, J., Pamler, W., Risch, L.

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Comparison of Trimming Techniques for Sub-Lithographic Silicon Structures von Dreeskornfeld, L., Graham, A. P., Hartwich, J., Kretz, J., Landgraf, E., Lutz, T., Rösner, W., Specht, M., Risch, L.

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Novel dual bit tri-gate charge trapping memory devices von Specht, M., Kommling, R., Hofmann, F., Klandzievski, V., Dreeskornfeld, L., Weber, W., Kretz, J., Landgraf, E., Schulz, T., Hartwich, J., Rosner, W., Stadele, M., Luyken, R.J., Reisinger, H., Graham, A., Hartmann, E., Risch, L.

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Comparative study of calixarene and HSQ resist systems for the fabrication of sub-20nm MOSFET device demonstrators von Kretz, J., Dreeskornfeld, L., Ilicali, G., Lutz, T., Weber, W.

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Design considerations for fully depleted SOI transistors in the 25–50 nm gate length regime von Luyken, R.J., Schulz, T., Hartwich, J., Dreeskornfeld, L., Städele, M., Rösner, W.

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Electron beam lithography for nanometer-scale planar double-gate transistors von Weber, W., Ilicali, G., Kretz, J., Dreeskornfeld, L., Rösner, W., Hansch, W., Risch, L.

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High Precision Etching of Si/SiO[sub 2] on a High-Density Helicon Etcher for Nanoscale Devices von Dreeskornfeld, L., Hartwich, J., Kretz, J., Schmitt-Landsiedel, D., Loraine, D., Powell, K., Thomas, D. J.

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Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS von Schulz, T., Pacha, C., Luyken, R.J., Städele, M., Hartwich, J., Dreeskornfeld, L., Landgraf, E., Kretz, J., Rösner, W., Specht, M., Hofmann, F., Risch, L.

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Nanostructuring of Mo/Si multilayers by means of reactive ion etching using a three-level mask von Dreeskornfeld, L., Haindl, G., Kleineberg, U., Heinzmann, U., Shi, F., Volland, B., Rangelow, I.W., Majkova, E., Luby, S., Kostic, Matay, L., Hrkut, P., Hudek, P., Lee, Hsin-Yi

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Fabrication of ultra-thin-film SOI transistors using the recessed channel concept von Dreeskornfeld, L., Hartwich, J., Hofmann, F., Kretz, J., Landgraf, E., Luyken, R.J., Rösner, W., Schröter, R., Schulz, T., Specht, M., Städele, M., Weber, W., Risch, L.

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STM writing of artificial nanostructures in ultrathin PMMA and SAM resists and subsequent pattern transfer in a Mo/Si multilayer by reactive ion etching von Hartwich, J., Dreeskornfeld, L., Heisig, V., Rahn, S., Wehmeyer, O., Kleineberg, U., Heinzmann, U.

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Reactive ion etching with end point detection of microstructured Mo/Si multilayers by optical emission spectroscopy von Dreeskornfeld, L., Segler, R., Haindl, G., Wehmeyer, O., Rahn, S., Majkova, E., Kleineberg, U., Heinzmann, U., Hudek, P., Kostic, I.

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W/Si multilayers deposited by hot-filament MOCVD von Hamelmann, F., Petri, S.H.A., Klipp, A., Haindl, G., Hartwich, J., Dreeskornfeld, L., Kleineberg, U., Jutzi, P., Heinzmann, U.

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