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PHM method for detecting degradation of GaN HEMT ON resistance, application to power converter
von
Boulzazen, Habib
,
Douzi, Chawki
,
Joubert, Eric
,
Dherbécourt, Pascal
,
Kadi, Moncef
,
Fouquet, François
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A novel methodology to characterize LGA packaged GaN power transistors using a mother/daughter board configuration for the reliability qualification in the mild hybrid applications
von
Douzi, Chawki
,
Kadi, Moncef
,
Dherbecourt, Pascal
,
Besserour, Mohamed Akram
,
Joubert, Eric
,
Fouquet, François
Veröffentlicht in
Microelectronics and reliability
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Effet du vieillissement par fatigue électrothermique sur la compatibilité électromagnétique des composants de puissance à base de SiC
von
Douzi, Chawki
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