-
1
-
2
-
3
-
4
Switching of GaN CAVET With Quasi-Monolithic Integrated HEMT Gate Driver
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
5
-
6
Technology of GaN-Based Large Area CAVETs With Co-Integrated HEMTs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
7
GaN power converter and high-side IC substrate issues on Si, p-n junction, or SOI
Veröffentlicht in e-Prime
VolltextArtikel -
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
-
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
Phosphorus Containing Polyacrylamides as Flame Retardants for Epoxy-Based Composites in Aviation
Veröffentlicht in Polymers
VolltextArtikel -
20