Suchergebnisse - Doken, Masanobu

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Etching Uniformities of Silicon in CF 4 + 4 % O 2 Plasma von Doken, Masanobu, Miyata, Isao

Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society

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2

A new self-aligned planar oxidation technology von SAKUMA, K, ARITA, Y, DOKEN, M

Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society

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3

JPH0585896B von KAWAI YOSHIO, DOKEN MASANOBU

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4

Chemical Polishing of CdS Single Crystal von Maeda, Masao, Doken, Masanobu, Fukui, Hiroshi

Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics

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5

METHOD AND DEVICE FOR RESIST COATING von OGAWA TADAMASA, DOKEN MASANOBU

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6

FORMATION OF PATTERN von KAWAI YOSHIO, DOKEN MASANOBU

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7

High Speed C-MOS IC Using Buried SiO 2 Layers Formed by Ion Implantation von Izumi, Katsutoshi, Doken, Masanobu, Ariyoshi, Hisashi

Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics

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8

LSIs for digital signal processing von Ohwada, N., Kimura, T., Doken, M.

Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits

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9

JPH0427695B von ARYOSHI AKIRA, IZUMI KATSUTOSHI, DOKEN MASANOBU

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10

LSI's for digital signal processing von Ohwada, N., Kimura, T., Doken, M.

Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices

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11

PATTERN FORMING PROCESS AND SILYLATING APPARATUS von ODAKA ISAMU, MIMURA YOSHIAKI, DOKEN MASANOBU

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12

HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG von IZUMI, KATSUTOSHI, DOKEN, MASANOBU, ARIYOSHI, HISASHI

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13

SEMICONDUCTOR DEVICE MADE BY ION IMPLANTATION von IZUMI, KATSUTOSHI, DOKEN, MASANOBU, ARIYOSHI, HISASHI

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14

Semiconductor device having buried insulating layer von IZUMI, KATSUTOSHI, DOKEN, MASANOBU, ARIYOSHI, HISASHI

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15

HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG von DOKEN,MASANOBU, IZUMI,KATSUTOSHI, ARIYOSHI,HISASHI

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16

SUBSTRATE ATTRACTING AND CLAMPING DEVICE von KAWAI YOSHIO, MIMURA YOSHIAKI, SHIMADA NOBUYUKI, DOKEN MASANOBU

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17

JPS6114664B von ARYOSHI AKIRA, MUKAI HISAKAZU, DOKEN MASANOBU, IZUMI KATSUTOSHI

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18

JPS6038023B von ARYOSHI AKIRA, MUKAI HISAKAZU, DOKEN MASANOBU, IZUMI KATSUTOSHI

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19

HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG von ARIYOSHI, HISASHI, TOKYO, JP, IZUMI, KATSUTOSHI, DOKEN, MASANOBU

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20

Hybrid IC Structures Using Solder Reflow Technology von Kamei, T., Nakamura, M., Ariyoshi, H., Doken, M.

Veröffentlicht in IEEE transactions on components, hybrids, and manufacturing technology

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Etching Uniformities of Silicon in CF 4 + 4 % O 2 Plasma von Doken, Masanobu, Miyata, Isao

A new self-aligned planar oxidation technology von SAKUMA, K, ARITA, Y, DOKEN, M

JPH0585896B von KAWAI YOSHIO, DOKEN MASANOBU

Chemical Polishing of CdS Single Crystal von Maeda, Masao, Doken, Masanobu, Fukui, Hiroshi

METHOD AND DEVICE FOR RESIST COATING von OGAWA TADAMASA, DOKEN MASANOBU

FORMATION OF PATTERN von KAWAI YOSHIO, DOKEN MASANOBU

High Speed C-MOS IC Using Buried SiO 2 Layers Formed by Ion Implantation von Izumi, Katsutoshi, Doken, Masanobu, Ariyoshi, Hisashi

LSIs for digital signal processing von Ohwada, N., Kimura, T., Doken, M.

JPH0427695B von ARYOSHI AKIRA, IZUMI KATSUTOSHI, DOKEN MASANOBU

LSI's for digital signal processing von Ohwada, N., Kimura, T., Doken, M.

PATTERN FORMING PROCESS AND SILYLATING APPARATUS von ODAKA ISAMU, MIMURA YOSHIAKI, DOKEN MASANOBU

HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG von IZUMI, KATSUTOSHI, DOKEN, MASANOBU, ARIYOSHI, HISASHI

SEMICONDUCTOR DEVICE MADE BY ION IMPLANTATION von IZUMI, KATSUTOSHI, DOKEN, MASANOBU, ARIYOSHI, HISASHI

Semiconductor device having buried insulating layer von IZUMI, KATSUTOSHI, DOKEN, MASANOBU, ARIYOSHI, HISASHI

HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG von DOKEN,MASANOBU, IZUMI,KATSUTOSHI, ARIYOSHI,HISASHI

SUBSTRATE ATTRACTING AND CLAMPING DEVICE von KAWAI YOSHIO, MIMURA YOSHIAKI, SHIMADA NOBUYUKI, DOKEN MASANOBU

JPS6114664B von ARYOSHI AKIRA, MUKAI HISAKAZU, DOKEN MASANOBU, IZUMI KATSUTOSHI

JPS6038023B von ARYOSHI AKIRA, MUKAI HISAKAZU, DOKEN MASANOBU, IZUMI KATSUTOSHI

HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG von ARIYOSHI, HISASHI, TOKYO, JP, IZUMI, KATSUTOSHI, DOKEN, MASANOBU

Hybrid IC Structures Using Solder Reflow Technology von Kamei, T., Nakamura, M., Ariyoshi, H., Doken, M.

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