-
1
Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
2
Many-body surface strain and surface reconstructions in fcc transition metals
Veröffentlicht in Physical review letters
VolltextArtikel -
3
Critical stresses for SixGe1-x strained-layer plasticity
Veröffentlicht in Physical review letters
VolltextArtikel -
4
Excess stress and the stability of strained heterostructures
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
5
-
6
Nature of misfit dislocation sources in strained-layer semiconductor structures
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
7
Work hardening and strain relaxation in strained-layer buffers
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
8
-
9
-
10
-
11
Dislocation filtering : why it works, when it doesn't
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel -
12
Structural energetics of thin coherently strained metallic overlayers
Veröffentlicht in Surface science
VolltextArtikel -
13
-
14
Non-Newtonian strain relaxation in highly strained SiGe heterostructures
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
15
Skipping motion in small-angle ion-surface scattering
Veröffentlicht in Physical review letters
VolltextArtikel -
16
An empirical relation for semiconductor strained-layer relaxation
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
VolltextArtikel -
17
Channeling of 20–100 eV Si atoms above the Si(111) surface
Veröffentlicht in Applied surface science
VolltextArtikel -
18
Scaling relations for strained-layer relaxation
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
19
Asymmetric tilt boundaries and generalized heteroepitaxy
Veröffentlicht in Physical review letters
VolltextArtikel -
20
Simulations of layer-by-layer sputtering during epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel