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Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Many-body surface strain and surface reconstructions in fcc transition metals
Veröffentlicht in Physical review letters
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Nature of misfit dislocation sources in strained-layer semiconductor structures
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Work hardening and strain relaxation in strained-layer buffers
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Dislocation filtering : why it works, when it doesn't
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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Structural energetics of thin coherently strained metallic overlayers
Veröffentlicht in Surface science
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Skipping motion in small-angle ion-surface scattering
Veröffentlicht in Physical review letters
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Excess stress and the stability of strained heterostructures
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Non-Newtonian strain relaxation in highly strained SiGe heterostructures
Veröffentlicht in Applied physics letters
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An empirical relation for semiconductor strained-layer relaxation
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Channeling of 20–100 eV Si atoms above the Si(111) surface
Veröffentlicht in Applied surface science
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Development of a many-body Tersoff-type potential for silicon
Veröffentlicht in Physical review. B, Condensed matter
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Metal-Insulator Transition in Disordered Germanium-Gold Alloys
Veröffentlicht in Physical review letters
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Critical stresses for SixGe1-x strained-layer plasticity
Veröffentlicht in Physical review letters
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Universal scaling relations in compressibility of solids
Veröffentlicht in Physical review. B, Condensed matter
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