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Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Time, temperature and excess stress: Relaxation in strained heterostructures
Veröffentlicht in Surface science
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Many-body surface strain and surface reconstructions in fcc transition metals
Veröffentlicht in Physical review letters
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Excess stress and the stability of strained heterostructures
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Nature of misfit dislocation sources in strained-layer semiconductor structures
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Work hardening and strain relaxation in strained-layer buffers
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Non-Newtonian strain relaxation in highly strained SiGe heterostructures
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Skipping motion in small-angle ion-surface scattering
Veröffentlicht in Physical review letters
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Scaling relations for strained-layer relaxation
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Asymmetric tilt boundaries and generalized heteroepitaxy
Veröffentlicht in Physical review letters
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Simulations of layer-by-layer sputtering during epitaxy
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Stability of strained quantum-well field-effect transistor structures
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Development of a many-body Tersoff-type potential for silicon
Veröffentlicht in Physical review. B, Condensed matter
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Atomistic simulation of silicon beam deposition
Veröffentlicht in Physical review. B, Condensed matter
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Adhesion between atomically flat metallic surfaces
Veröffentlicht in Physical review. B, Condensed matter
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Universal scaling relations in compressibility of solids
Veröffentlicht in Physical review. B, Condensed matter
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