RTA-Driven Intra-Die Variations in Stage Delay, and Parametric Sensitivities for 65nm Technology von Walsh, B., Utomo, H., Leobandung, E., Mahorowala, A., Mocuta, D., Miyamoto, K., Kumar, M., Huang, S., Gribelyuk, M., Gabor, A., Freeman, G., Dirahoui, B., Deshpande, S., Azuma, A., Chan, A., Maciejewski, E., Herman, J., Berg, G., Zimmerman, J., Kimura, H., Nowak, E.J., Logan, R., Glushchenkov, O., Zamdmer, N., Ahsan, I., Walsh, B., Utomo, H., Leobandung, E., Mahorowala, A., Mocuta, D., Miyamoto, K., Kumar, M., Huang, S., Gribelyuk, M., Gabor, A., Freeman, G., Dirahoui, B., Deshpande, S., Azuma, A., Chan, A., Maciejewski, E., Herman, J., Berg, G., Zimmerman, J., Kimura, H., Nowak, E.J., Logan, R., Glushchenkov, O., Zamdmer, N., Ahsan, I.

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High performance 65 nm SOI technology with dual stress liner and low capacitance SRAM cell von Leobandung, E., Nayakama, H., Mocuta, D., Miyamoto, K., Angyal, M., Meer, H.V., McStay, K., Ahsan, I., Allen, S., Azuma, A., Belyansky, M., Bentum, R.-V., Cheng, J., Chidambarrao, D., Dirahoui, B., Fukasawa, M., Gerhardt, M., Gribelyuk, M., Halle, S., Harifuchi, H., Harmon, D., Heaps-Nelson, J., Hichri, H., Ida, K., Inohara, M., Inouc, I.C., Jenkins, K., Kawamura, T., Kim, B., Ku, S.-K., Kumar, M., Lane, S., Liebmann, L., Logan, R., Melville, I., Miyashita, K., Mocuta, A., O'Neil, P., Ng, M.-F., Nogami, T., Nomura, A., Norris, C., Nowak, E., Ono, M., Panda, S., Penny, C., Radens, C., Ramachandran, R., Ray, A., Rhee, S.-H., Ryan, D., Shinohara, T., Sudo, G., Sugaya, F., Strane, J., Tan, Y., Tsou, L., Wang, L., Wirbeleit, F., Wu, S., Yamashita, T., Yan, H., Ye, Q., Yoneyama, D., Zamdmer, D., Zhong, H., Zhu, H., Zhu, W., Agnello, P., Bukofsky, S., Bronner, G., Crabbe, E., Freeman, G., Huang, S.-F., Ivers, T., Kuroda, H., McHerron, D., Pellerin, J., Toyoshima, Y., Subbanna, S., Kepler, N., Su, L.

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High performance 32nm SOI CMOS with high-k/metal gate and 0.149µm2 SRAM and ultra low-k back end with eleven levels of copper von Greene, B., Liang, Q., Amarnath, K., Wang, Y., Schaeffer, J., Cai, M., Liang, Y., Saroop, S., Cheng, J., Rotondaro, A., Han, S.-J., Mo, R., McStay, K., Ku, S., Pal, R., Kumar, M., Dirahoui, B., Yang, B., Tamweber, F., Lee, W.-H., Steigerwalt, M., Weijtmans, H., Holt, J., Black, L., Samavedam, S., Turner, M., Ramani, K., Lee, D., Belyansky, M., Chowdhury, M., Aime, D., Min, B., van Meer, H., Yin, H., Chan, K., Angyal, M., Zaleski, M., Ogunsola, O., Child, C., Zhuang, L., Yan, H., Permanaa, D., Sleight, J., Guo, D., Mittl, S., Ioannou, D., Wu, E., Chudzik, M., Park, D.-G., Brown, D., Luning, S., Mocuta, D., Maciejewski, E., Henson, K., Leobandung, E.

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