Improved interface state density by low temperature epitaxy grown AlN for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor diodes von Whiteside, M., Arulkumaran, S., Dikme, Y., Sandupatla, A., Ng, G.I.

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Micro-Raman-scattering study of stress distribution in GaN films grown on patterned Si(111) by metal-organic chemical-vapor deposition von Wang, D., Jia, S., Chen, K. J., Lau, K. M., Dikme, Y., van Gemmern, P., Lin, Y. C., Kalisch, H., Jansen, R. H., Heuken, M.

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Growth and characterization of m-plane GaN-based layers on LiAlO2 (100) grown by MOVPE von HANG, D. R, CHOU, Mitch M. C, LIUWEN CHANG, DIKME, Y, HEUKEN, M

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Crystal growth and properties of LiAlO2 and nonpolar GaN on LiAlO2 substrate von Chou, Mitch M. C., Hang, D. R., Kalisch, H., Jansen, R. H., Dikme, Y., Heuken, Michael, Yablonskii, G. P.

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Investigation of buffer growth temperatures for MOVPE of GaN on Si(1 1 1) von Dikme, Y., Gerstenbrandt, G., Alam, A., Kalisch, H., Szymakowski, A., Fieger, M., Jansen, R.H., Heuken, M.

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MOVPE, processing and characterization of AlGaN/GaN HEMTs with different Al concentrations on silicon substrates von Fieger, M., Eickelkamp, M., Rahimzadeh Koshroo, L., Dikme, Y., Noculak, A., Kalisch, H., Heuken, M., Jansen, R.H., Vescan, A.

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Growth and investigation of m-plane (In)GaN buffer layers on LiAlO2 substrates von MAUDER, C, RAHIMZADEH KHOSHROO, L, KALISCH, H, JANSEN, R. H, BEHMENBURG, H, WEN, T. C, DIKME, Y, RZHEUTSKII, M. V, YABLONSKII, G. P, WOITOK, J, CHOU, M. M. C, HEUKEN, M

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Optimisation of AlInN/GaN HEMT structures von Rahimzadeh Khoshroo, L., Mauder, C., Zhang, W., Fieger, M., Eickelkamp, M., Dikme, Y., Woitok, J., Niyamakom, P., Vescan, A., Kalisch, H., Heuken, M., Jansen, R. H.

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Characterization of GaN grown on patterned Si(1 1 1) substrates von Wang, D., Dikme, Y., Jia, S., Chen, K.J., Lau, K.M., van Gemmern, P., Lin, Y.C., Kalisch, H., Jansen, R.H., Heuken, M.

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High efficiency integral III-N/II-VI blue-green laser converter von SOROKIN, S. V, SEDOVA, I. V, HEUKEN, M, IVANOV, S. V, TOROPOV, A. A, YABLONSKII, G. P, LUTSENKO, E. V, VOINILOVICH, A. G, DANILCHYK, A. V, DIKME, Y, KALISCH, H, SCHINELLER, B

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On the origin of the redshift in the emission wavelength of InGaN/GaN blue light emitting diodes grown with a higher temperature interlayer von Ju, Z. G., Tan, S. T., Zhang, Z.-H., Ji, Y., Kyaw, Z., Dikme, Y., Sun, X. W., Demir, H. V.

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m -plane GaN/InGaN/AlInN on LiAlO2 grown by MOVPE von Behmenburg, H., Wen, T. C., Dikme, Y., Mauder, C., Khoshroo, L. Rahimzadeh, Chou, M. M. C., Rzheutskii, M. V., Lutsenko, E. V., Yablonskii, G. P., Woitok, J., Kalisch, H., Jansen, R. H., Heuken, M.

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New method for the in situ determination of AlxGa1-xN composition in MOVPE by real-time optical reflectance von HARDTDEGEN, H, KALUZA, N, STRITTMATTER, A, REISSMANN, L, BIMBERG, D, ZETTLER, J.-T, SOFER, Z, CHO, Y. S, STEINS, R, BAY, H. L, DIKME, Y, KALISCH, H, JANSEN, R. H, HEUKEN, M

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On the Effect of Step-Doped Quantum Barriers in InGaN/GaN Light Emitting Diodes von Zi-Hui Zhang, Tan, S. T., Zhengang Ju, Wei Liu, Yun Ji, Kyaw, Z., Dikme, Y., Xiao Wei Sun, Demir, H. V.

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Growth and characterization of GaN-based structures on SiCOI-engineered substrates von Dikme, Y., van Gemmern, P., Lin, Y.C., Szymakowski, A., Kalisch, H., Faure, B., Richtarch, C., Larhèche, H., Bove, P., Letertre, F., Woitok, J.F., Efthimiadis, K., Jansen, R.H., Heuken, M.

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Laser threshold and optical gain of blue optically pumped InGaN/GaN multiple quantum wells (MQW) grown on Si von Lutsenko, E. V., Danilchyk, A. V., Tarasuk, N. P., Andryieuski, A. V., Pavlovskii, V. N., Gurskii, A. L., Yablonskii, G. P., Kalisch, H., Jansen, R. H., Dikme, Y., Schineller, B., Heuken, M.

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AlInN/GaN HEMTs on sapphire: dc and pulsed characterisation von Fieger, M., Eickelkamp, M., Zhang, W., Khoshroo, L. Rahimzadeh, Mauder, C., Dikme, Y., Heuken, M., Noculak, A., Kalisch, H., Jansen, R. H., Vescan, A.

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MOVPE growth and investigation of AlInN/AlN multiple quantum wells von Mauder, C., Khoshroo, L. Rahimzadeh, Rzheutski, M. V., Lutsenko, E. V., Yablonskii, G., Kozlovsky, V. I., Woitok, J., Dikme, Y., Heuken, M., Kalisch, H., Jansen, R. H.

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Luminescence and Stimulated Emission from GaN on Silicon Substrates Heterostructures von Yablonskii, G.P., Lutsenko, E.V., Pavlovskii, V.N., Zubialevich, V.Z., Gurskii, A.L., Kalisch, H., Szymakowskii, A., Jansen, R.A., Alam, A., Dikme, Y., Schineller, B., Heuken, M.

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New method for the in situ determination of Alx Ga1-x N composition in MOVPE by real-time optical reflectance von Hardtdegen, H., Kaluza, N., Sofer, Z., Cho, Y. S., Steins, R., Bay, H. L., Dikme, Y., Kalisch, H., Jansen, R. H, Heuken, M., Strittmatter, A., Reißmann, L., Bimberg, D., Zettler, J.-T.

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