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    Nature and origin of V-defects present in metalorganic vapor phase epitaxy-grown (InxAl1−x)N layers as a function of InN content, layer thickness and growth parameters

    Nature and origin of V-defects present in metalorganic vapor phase epitaxy-grown (InxAl1−x)N layers as a function of InN content, layer thickness and growth parameters von Vennéguès, P., Diaby, B.S., Kim-Chauveau, H., Bodiou, L., Schenk, H.P.D., Frayssinet, E., Martin, R.W., Watson, I.M.

    Veröffentlicht in Journal of crystal growth

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