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Growth of GaN films on PLD-deposited TaC substrates
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Improved performance of Schottky diodes on pendeoepitaxial gallium nitride
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Al, B, and Ga ion-implantation doping of SiC
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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Effectiveness of AlN encapsulant in annealing ion-implanted SiC
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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High-transparency Ni/Au bilayer contacts to n-type GaN
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Improved performance of Schottky diodes on pendeoepitaxialgallium nitride
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Effects of high-temperature anneals on 4H–SiC Implanted with Al or Al and Si
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Variations in the Effects of Implanting Al at Different Concentrations into SiC
Veröffentlicht in Materials science forum
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Structural Defects Formed in Al-Implanted and Annealed 4H-SiC
Veröffentlicht in Materials science forum
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