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Comparison of III–V Heterostructures Grown on Ge/Si, Ge/SOI, and GaAs
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Resistive Switching in Memristors Based on Ge/Si(001) Epitaxial Layers
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Development of a Ge-MISFET Instrument Structure with an Induced p-Type Channel
Veröffentlicht in Russian microelectronics
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GaAs diode structures with n+-p junction on Ge/Si templates
Veröffentlicht in Journal of physics. Conference series
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