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    A 0.15µm 60GHz high-power composite channel GaInAs/InP HEMT with low gate current

    A 0.15µm 60GHz high-power composite channel GaInAs/InP HEMT with low gate current von Boudrissa, Mustafa, Delos, Elisabet, Wallart, X., Theron, Didier

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    Enhancement-mode Al0.66InO.34As/Ga0.67In0.33As metamorphic HEMT : modeling and measurement

    Enhancement-mode Al0.66InO.34As/Ga0.67In0.33As metamorphic HEMT : modeling and measurement von Boudrissa, Mustafa, Delos, Elisabet, Gaquière, Christophe, Rousseau, Michel, Cordier, Yvon, Theron, Didier, de Jaeger, Jean-Claude


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    Enhancement mode metamorphic In0.33Al0.67As/In0.34Ga0.66As HEMT on GaAs substrate with high breakdown voltage

    Enhancement mode metamorphic In0.33Al0.67As/In0.34Ga0.66As HEMT on GaAs substrate with high breakdown voltage von Boudrissa, Mustafa, Delos, Elisabet, Cordier, Yvon, Theron, Didier, de Jaeger, Jean-Claude

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    A 310°/3.6dB K-band phaseshifter using paraelectric BST thin films

    A 310°/3.6dB K-band phaseshifter using paraelectric BST thin films von Vélu, Gabriel, Blary, Karine, Burgnies, Ludovic, Carru, Jean-Claude, Delos, Elisabet, Marteau, Aurélien, Lippens, Didier


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    Reliable Complementary HIGFET Technology for High Speed/Low Power Applications

    Reliable Complementary HIGFET Technology for High Speed/Low Power Applications von Fawaz, Hussein, Thiery, Jean-Francois, Nluyen, Linh, Delos, Elisabet, Salmer, Georges

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