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Low and high temperature device reliability investigations of buried p-channel MOSFETs of a 0.17 μm technology
von
Ambatiello, Alexander
,
Deichler, Josef
Veröffentlicht in
Microelectronics and reliability
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P-type Gate Electrode Formation Using B18H22 Ion Implantation
von
Henke, Dietmar
,
Jakubowski, Frank
,
Deichler, Josef
,
Venezia, Vincent C
,
Ameen, M S
,
Harris, M A
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Ieee Electronic Library (Iel)
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Ingenta Connect
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Sd College Edition Journals Collection - Physical Sciences [Scps]
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