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    Investigation on Trench Edge Termination in SiC Based Power Device

    Investigation on Trench Edge Termination in SiC Based Power Device von Reena Rathi, Sharma, Ekta, Dasarraju, Vamshi Krishna


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    Performance of Nichrome/p-Si Schottky Diode

    Performance of Nichrome/p-Si Schottky Diode von Sharma, Ekta, Reena Rathi, Dasarraju, Vamshi Krishna


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    Behaviour of SiC Schottky Diode Temperature Sensors in 200–600 K

    Behaviour of SiC Schottky Diode Temperature Sensors in 200–600 K von Jaya, Sinhmar, Bhavya, Dasarraju, Vamshi Krishna, Dalal, Sudhir


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    Enhancement of Breakdown Voltage Using Trench Edge Termination Technique in SiC-Based Power Device

    Enhancement of Breakdown Voltage Using Trench Edge Termination Technique in SiC-Based Power Device von Panchal, Ankit, Sharma, Ekta, Dasarraju, Vamshi Krishna, Suman


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    Current Conduction in Nichrome/p-Si Schottky Diode

    Current Conduction in Nichrome/p-Si Schottky Diode von Sharma, Ekta, Panchal, Ankit, Rathi, Reena, Dasarraju, Vamshi Krishna, Suman


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