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Analysis of dislocation defects in compositionally step-graded α-(AlxGa1−x)2O3 layers
Veröffentlicht in RSC advances
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Conductive Si-doped α-(AlxGa1−x)2O3 thin films with the bandgaps up to 6.22 eV
Veröffentlicht in AIP advances
VolltextArtikel -
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