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PROCESS AND APPARATUS FOR OBTAINING BULK MONOCRYSTALLINE GALLIUM-CONTAINING NITRIDE
von
GARCZY SKI JERZY
,
KANBARA YASUO
,
DORADZI SKI ROMAN MAREK
,
DWILI SKI ROBERT TOMASZ
,
SIERZPUTOWSKI LESZEK PIOTR
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Bulk monocrystalline gallium nitride
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GARCZY SKI JERZY
,
KANBARA YASUO
,
DORADZI SKI ROMAN MAREK
,
DWILI SKI ROBERT TOMASZ
,
SIERZPUTOWSKI LESZEK PIOTR
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NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND A METHOD FOR IMPROVING ITS PERFORMANCE
von
GARCZY SKI JERZY
,
KANBARA YASUO
,
DORADZI SKI ROMAN MAREK
,
DWILI SKI ROBERT TOMASZ
,
SIERZPUTOWSKI LESZEK PIOTR
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Bulk monocrystalline gallium nitride
von
Dwili ski, Robert Tomasz
,
Doradzi ski, Roman Marek
,
Garczy ski, Jerzy
,
Sierzputowski, Leszek Piotr
,
Kanbara, Yasuo
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Patents
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Schlagworte
After-Treatment Of Single Crystals Or A Homogeneouspolycrystalline Material With Defined Structure
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Apparatus Therefor
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Basic Electric Elements
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Chemistry
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Crystal Growth
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Devices Using Stimulated Emission
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Electricity
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Metallurgy
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Production Of A Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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Refining By Zone-Melting Of Material
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Single Crystals Or Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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Single-Crystal-Growth
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3
Unidirectional Solidification Of Eutectic Material Orunidirectional Demixing Of Eutectoid Material
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Compounds Containing Metals Not Covered By Subclassesc01D Or C01F
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Inorganic Chemistry
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Electric Solid State Devices Not Otherwise Provided For
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Semiconductor Devices
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Von:
Bis:
Quelle
Esp@Cenet
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Uspto Issued Patents
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1