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    Initial growth processes in the epitaxy of Ge with GeH4 on oxidized Si substrates

    Initial growth processes in the epitaxy of Ge with GeH4 on oxidized Si substrates von ANGERMEIER, D, KUHN, W. S, DRUIHLE, R, BALLUTAUD, D, TRIBOULET, R, GEBHARDT, W


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    ChemInform Abstract: Initial Growth Processes in the Epitaxy of Ge with GeH4 on Oxidized Si Substrates

    ChemInform Abstract: Initial Growth Processes in the Epitaxy of Ge with GeH4 on Oxidized Si Substrates von ANGERMEIER, D., KUHN, W. S., DRUIHLE, R., BALLUTAUD, D., TRIBOULET, R., GEBHARDT, W.

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