Suchergebnisse - DROZDOVSKI, N. V | OPAC THWS

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GaN-based high electron-mobility transistors for microwave and RF control applications von Drozdovski, N.V., Caverly, R.H.

Veröffentlicht in IEEE transactions on microwave theory and techniques

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2

Modeling the zero and forward bias operation of PIN diodes for high-frequency applications von Drozdovski, N.V., Drozdovskaia, L.M., Caverly, R.H., Quinn, M.J.

Veröffentlicht in Solid-state electronics

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3

A novel microstrip microwave passive power limiter von DROZDOVSKI, N. V., DROZDOVSKAIA, L. M.

Veröffentlicht in International journal of electronics

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4

Large-signal modeling of microwave gallium nitride-based HFETs von Drozdovski, N.V., Caverly, R.H., Quinn, M.J.

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5

A novel microstrip microwave passive power limiter von DROZDOVSKI, N. V, DROZDOVSKAIA, L. M

Veröffentlicht in International journal of electronics

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6

Microwave passive power limiters with MESFETs von Drozdovski, N.V.

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7

SPICE modeling of microwave and RF control diodes von Caverly, R.H., Drozdovski, N.V., Drozdovskaia, L.M., Quinn, M.J.

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8

Gallium nitride: use in high power control applications von Caverly, R.H., Drozdovski, N.V., Joye, C., Quinn, M.

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9

A novel waveguide amplitude modulator for MM-waves von Drozdovski, N.V., Victorov, V.

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