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High-speed AlGaN/GaN HFETs fabricated by wet etching mesa isolation
Veröffentlicht in Electronics letters
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Effect of gate-source access region stress on current collapse in AIGaN/GaN HFETs
Veröffentlicht in Electronics letters
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Performance comparison of Cu and Ni gates for deep submicrometer AlGaN/GaN HFETs
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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Effect of gate-source access region stress on current collapse in AlGaN/GaN HFETs
Veröffentlicht in Electronics letters
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Effect of gate-source access region stress on current collapse in AlGaN/GaN HFETs
Veröffentlicht in Electronics letters
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High-speed AlGaN/GaN HFETs fabricated by wet etching mesa isolation
Veröffentlicht in Electronics letters
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Exagamglogene Autotemcel for Transfusion-Dependent β-Thalassemia
Veröffentlicht in The New England journal of medicine
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