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(Invited) Optimized HfO 2 -Based MIM Module Fabrication for Emerging Memory Applications
Veröffentlicht in ECS transactions
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SiGe p-n-p HBTs With 265-GHz fmax, 175-GHz fT, and 3.65-ps Gate Delay
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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SiGe p-n-p HBTs With 265-GHz f max, 175-GHz f T, and 3.65-ps Gate Delay
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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