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Ni fully silicided gates for 45 nm CMOS applications
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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Ni fully silicided gates for 45nm CMOS applications
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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Dopants for N and P Junctions in Germanium
Veröffentlicht in Meeting abstracts (Electrochemical Society)
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Study of Ni-Silicide Contacts to Si:C Source/Drain
Veröffentlicht in Meeting abstracts (Electrochemical Society)
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