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    Characterization of ultra-thin SOI MOSFETs by coupling effect between front and back interfaces

    Characterization of ultra-thin SOI MOSFETs by coupling effect between front and back interfaces von Ohata, A., Cristoioveanu, S., Casse, M., Vandoorcn, A., Dauge, F.


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    Saturation current model for the N-channel G4-FET

    Saturation current model for the N-channel G4-FET von DUFRENE, B, BLALOCK, B, CRISTOIOVEANU, S, MOJARRADI, M, KOLAWA, E. A


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