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Novel tubular composite matrix for bone repair
Veröffentlicht in Journal of biomedical materials research. Part A
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Experimental demonstration of a silicon carbide IMPATT oscillator
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Phosphorus implantation into 4H-silicon carbide
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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SiC power-switching devices-the second electronics revolution?
Veröffentlicht in Proceedings of the IEEE
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Status and prospects for SiC power MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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SiC power Schottky and PiN diodes
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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On-State Characteristics of SiC power UMOSFETs on 115-μm drift Layers
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Measurement of high-field electron transport in silicon carbide
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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High current gain 4H-SiC npn bipolar junction transistors
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Fine-Mapping of 5q12.1–13.3 Unveils New Genetic Contributors to Caries
Veröffentlicht in Caries research
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N-channel 3C-SiC MOSFETs on silicon substrate
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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