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Recovery kinetics in high temperature annealed AlN heteroepitaxial films
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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The role of chemical potential in compensation control in Si:AlGaN
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Shallow Si donor in ion-implanted homoepitaxial AlN
Veröffentlicht in Applied physics letters
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High electron mobility in AlN:Si by point and extended defect management
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Design of AlGaN-based quantum structures for low threshold UVC lasers
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Complexes and compensation in degenerately donor doped GaN
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Quasi-phase-matched second harmonic generation of UV light using AlN waveguides
Veröffentlicht in Applied physics letters
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The role of surface kinetics on composition and quality of AlGaN
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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The 2020 UV emitter roadmap
Veröffentlicht in Journal of physics. D, Applied physics
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