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Electron confinement at diffuse ZnMgO/ZnO interfaces
Veröffentlicht in APL materials
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Highly 28Si enriched silicon by localised focused ion beam implantation
Veröffentlicht in Communications materials
VolltextArtikel -
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Highly \({ }^{28} \mathrm{Si}\) Enriched Silicon by Localised Focused Ion Beam Implantation
Veröffentlicht in arXiv.org
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