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Effects of gate recess etching on source resistance
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Two-level tunneling systems in amorphous and crystallized metal alloys
Veröffentlicht in Physical review letters
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GaAs device passivation using sputtered silicon nitride
Veröffentlicht in Applied physics letters
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A Commercially Available Ruthenium Compound for Catalytic Hydrophosphination
Veröffentlicht in Israel journal of chemistry
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