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A General and Transformable Model Platform for Emerging Multi-Gate MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
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Study on the Influence of Gear Spoke Hole Numbers on Meshing Noise
Veröffentlicht in Applied sciences
VolltextArtikel -
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An Above Threshold Model for Short-Channel DG MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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