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Gate-First AlGaN/GaN HEMT Technology for High-Frequency Applications
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
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N-Face GaN/AlGaN HEMTs Fabricated Through Layer Transfer Technology
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Seamless On-Wafer Integration of Si(100) MOSFETs and GaN HEMTs
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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